品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3024LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2312
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:6.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9520SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA530PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9520PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@4.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:61W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0CE
功率:61W
阈值电压:3.5V@130μA
连续漏极电流:6.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@10V,1.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:61W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2050
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4816NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R1K0CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@20V
连续漏极电流:6.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":55000,"14+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":989,"10+":5159,"11+":35000,"12+":25000,"13+":2490,"14+":1996,"15+":82606,"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4816NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: