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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.45V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2191pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MSX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1368pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7076pF@125V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@61A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.45V@1mA

    栅极电荷:37.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2191pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFZ48Z 起订397个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFZ48Z 起订397个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1995,"19+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFZ48Z

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@37A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订273个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订273个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@50V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@37A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订1436个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订1436个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.45V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2191pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP220N25NFDAKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7076pF@125V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@61A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@50V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@37A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN64N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN64N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN64N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8700pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1057pF@15V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MSX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MSX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1368pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YLC,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1057pF@15V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R045P7XKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R045P7XKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R045P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:201W

    阈值电压:4V@1.08mA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3891pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@50V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@37A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN64N50P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN64N50P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN64N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8700pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-60MLX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-60MLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.45V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2191pF@30V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4510TRLPBF 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@50V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@37A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB80N20M5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB80N20M5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB80N20M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4329pF@50V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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