品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1368pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7076pF@125V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@61A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1995,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFZ48Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP220N25NFDAKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7076pF@125V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@61A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN64N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8700pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1368pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:201W
阈值电压:4V@1.08mA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3891pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN64N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8700pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.45V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2191pF@30V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4510TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3180pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@37A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: