品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1451pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€65W
阈值电压:4V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€29W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:998pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF20N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP20N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:2.1V@16µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1105pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G200P04D3
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: