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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1464EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.41Ω@2A，1.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
