采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：450，"17+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：700，"13+"：3300，"17+"：5629，"9999"：50，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：110，"08+"：86，"11+"：55，"12+"：2279，"13+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW12N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：700，"13+"：3300，"17+"：5629，"9999"：50，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1235pF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：110，"08+"：86，"11+"：55，"12+"：2279，"13+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW12N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
