品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT77N60JC3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:3.9V@5.4mA
栅极电荷:640nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13600pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@60A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:4.5V@2.12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7268pF@400V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@42.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6077VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:781W
阈值电压:6.5V@1.9mA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@100V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@23A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6077VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:781W
阈值电压:6.5V@1.9mA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@100V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@23A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6077VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:781W
阈值电压:6.5V@1.9mA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@100V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@23A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:2.7V@2mA
栅极电荷:99nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:2.7V@2mA
栅极电荷:99nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:4.5V@2.12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7268pF@400V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@42.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP082N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:77A
类型:MOSFET
导通电阻:8.2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP082N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:77A
类型:MOSFET
导通电阻:8.2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23950,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB77N06S212ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP082N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:28nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:77A
类型:MOSFET
导通电阻:8.2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS070N03DP
功率:70W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:77A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6510-75C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5251pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS070N03DP
功率:70W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:77A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF041N06BL1
工作温度:-55℃~175℃
功率:44.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5690pF@30V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@77A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4291}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6510-75C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5251pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP77N06S212AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@93µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6077VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:781W
阈值电压:6.5V@1.9mA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@100V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@23A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1262pF@12V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:4.5V@2.12mA
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7268pF@400V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@42.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6077VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:781W
阈值电压:6.5V@1.9mA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@100V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@23A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: