采购热线 400-661-9010
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4893}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：157A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GeneSiC
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规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4893}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：157A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：157A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：157A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
输入电容：9335pF@800V
栅极电荷：288nC@15V
连续漏极电流：157A
导通电阻：13mΩ@100A，18V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3R12MT12K
输入电容：9335pF@800V
栅极电荷：288nC@15V
连续漏极电流：157A
导通电阻：13mΩ@100A，18V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
输入电容：9335pF@800V
栅极电荷：288nC@15V
连续漏极电流：157A
导通电阻：13mΩ@100A，18V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
包装清单：商品主体 * 1
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