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    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 163A
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    类型:N沟道

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    类型:N沟道

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

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    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订2个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订2个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:268W

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    连续漏极电流:163A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:19.8pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,20A

    漏源电压:85V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    类型:N沟道

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

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    功率:117W

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    栅极电荷:80.6nC@10V

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    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1323}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2D4N03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6540pF@15V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2D4N03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6540pF@15V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订10个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订10个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT8156T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:268W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:4.102nF@50V

    连续漏极电流:163A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:19.8pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,20A

    漏源电压:85V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:163A

    功率:117W

    漏源电压:40V

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:5400pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:80.6nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2D4N03S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2D4N03S

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:163A

    漏源电压:30V

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    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    输入电容:6540pF@15V

    栅极电荷:88nC@10V

    导通电阻:1.8mΩ@28A,10V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:163A

    功率:117W

    漏源电压:40V

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:5400pF@25V

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    栅极电荷:80.6nC@10V

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    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

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    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订30个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT8156T 起订30个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT8156T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:268W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:4.102nF@50V

    连续漏极电流:163A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:19.8pF@50V

    导通电阻:3.8mΩ@10V,20A

    漏源电压:85V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订83个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订83个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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