品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
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类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
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栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):AON3611
工作温度:-55℃~150℃
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阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: