品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4SC075009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5.5V@10mA
栅极电荷:75nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3340pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@70A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4SC075009K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5.5V@10mA
栅极电荷:75nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3340pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@70A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:106A
类型:MOSFET
导通电阻:18mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:106A
类型:MOSFET
导通电阻:18mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:234nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:106A
类型:MOSFET
导通电阻:18mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2V
栅极电荷:26nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:106A
类型:MOSFET
导通电阻:2.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: