采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：141A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
