采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8289pF@30V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@270µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：205A
类型：N沟道
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IPP018N10N5XKSA1
功率：3.8W€375W
输入电容：16000pF@50V
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@270µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：210nC@10V
连续漏极电流：205A
包装方式：管件
导通电阻：1.83mΩ@100A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
