品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI086N10N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:2.7V@75mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.99nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,73A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI086N10N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:2.7V@75mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.99nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,73A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2514J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI086N10N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:2.7V@75mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.99nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:21pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,73A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,46A
功率:104W
栅极电荷:42nC@10V
漏源电压:120V
反向传输电容:5.8pF@60V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:3.365nF@60V
阈值电压:4V@260μA
连续漏极电流:93A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM070NB04CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:3.125nF@20V
连续漏极电流:15A€75A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2914J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.255nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:168pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2514J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2514J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: