品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VRF151MP
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60
功率:50W
阈值电压:4.5V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:22.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R190E6FKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.4nF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6050JNZ4C13
功率:615W
阈值电压:7V@5mA
栅极电荷:120nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4.5nF@100V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:83mΩ@25A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0025120D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:463W
阈值电压:2.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2.788nF@1000V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4045DEC11
功率:115W
阈值电压:4.8V@8.89mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:14.6nF@500V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:59mΩ@17A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW8N120K5
功率:130W
阈值电压:5V@100μA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.5A
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"31+":3363}
包装规格(MPQ):78psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2
功率:200W
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6050JNZ4C13
功率:615W
阈值电压:7V@5mA
栅极电荷:120nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4.5nF@100V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:83mΩ@25A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":113598,"13+":950}
包装规格(MPQ):65psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S4DPP-E0#T2
功率:29.9W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:988pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740ASPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.03nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: