品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":423}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF1570FT1
功率:70W
ECCN:EAR99
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS070N03DP
功率:70W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:77A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRD4N70
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT40N10D
功率:70W
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,12A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT40N10D
功率:70W
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,12A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:2.55nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
反向传输电容:205pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,12A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS070N03DP
功率:70W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:77A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":423}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF1570FT1
功率:70W
ECCN:EAR99
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRD4N70
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG30N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:2.55nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
反向传输电容:205pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,12A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: