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    行业应用: 工业
    类型: 1个N沟道
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:1800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54.6mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP034N03L G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:5.3nF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:81pF@15V

    导通电阻:2.8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R7-40HX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R7-40HX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:1.161nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF@25V

    导通电阻:5.7mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.8W€136W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1.925nF@30V

    连续漏极电流:11.76A€89.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N06L3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N06L3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@93μA

    栅极电荷:79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ182EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:395W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:96nC@10V

    输入电容:5.392nF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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