品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E110AJTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€24A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E100AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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