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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
