采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY300NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13306W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13302WT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：862pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.1mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
