品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N04LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5509pF@20V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:261A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM045NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6870pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:261A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:261A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:261A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:261A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€188W
阈值电压:3.3V@120µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8125pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB80N20M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4329pF@50V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC082N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@50V
连续漏极电流:13.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: