采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：39610，"10+"：16500，"11+"：3000，"12+"：24000，"18+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4851NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@12V
连续漏极电流：9.5A€66A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0805LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：677}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18020，"22+"：73034，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0805LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18020，"22+"：73034，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0805LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18020，"22+"：73034，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0805LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：14A€79A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：39610，"10+"：16500，"11+"：3000，"12+"：24000，"18+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4851NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@12V
连续漏极电流：9.5A€66A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6706S2TR1PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W€26W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@13V
连续漏极电流：17A€63A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD30N02G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@30A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4851NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@12V
连续漏极电流：9.5A€66A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4851NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@12V
连续漏极电流：9.5A€66A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
