品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€258W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:38A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST026N10NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.8V@148µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:27A€248A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6060pF@25V
连续漏极电流:97A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€258W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:38A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ700N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€258W
阈值电压:4V@490µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8220pF@40V
连续漏极电流:38A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1309}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R4-40C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:204W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2,"23+":342,"24+":2451}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ700N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IST026N10NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.8V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:27A€248A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4137PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:341W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5168pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@24A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: