采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N03S203T
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N03S203T
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N03S203T
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N03S203T
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100NF04T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB100N03S203T
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
