品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP100N03S2-03
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100NF04T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100NF04
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100NF04T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB100N03S203T
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB100N03S203T
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
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输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF06
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP80N03S2-03
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF06
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB100N03S203T
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF06
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF06
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP100N03S2-03
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100NF04T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100NF04T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100NF04
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB80N03S203GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: