采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2205
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2205
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：108，"12+"：889，"13+"：1088，"14+"：4000}
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
