品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€22W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:650mA€2.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:188pF@50V
漏源电压:600V
栅极电荷:9.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:335pF@75V
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4848ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@3.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: