采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.65A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.65A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL3NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€22W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@50V
连续漏极电流：650mA€2.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@3.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：105pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU1HN60K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@600mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
