品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35N65W,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6017LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6017LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: