品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":450,"21+":5}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK758R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€35W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€35W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:13A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@19A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: