首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    类型
    栅极电荷
    漏源电压
    40V
    包装方式
    连续漏极电流
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    栅极电荷: 24nC@10V
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订825个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订825个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":5933,"19+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK758R3-40E,127 起订487个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK758R3-40E,127 起订487个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":450,"21+":5}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK758R3-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:610mW€61W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E8R3-40E,127 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E8R3-40E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:610mW€61W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-40E,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R504PL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R504PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:610mW€61W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧