采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
