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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 14nC@4.5V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS420EN-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订200个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订200个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订8000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订8000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C05NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":103500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1972pF@15V

    连续漏极电流:11.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2314EDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.77A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7413ZTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订12000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7821TRPBF 起订12000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7821TRPBF

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@15V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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