品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.98W€9.6W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@10V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.98W€9.6W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@10V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.98W€9.6W
阈值电压:1.1V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@10V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":103500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: