采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：184，"18+"：5117}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK662R5-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：204W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6960pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
