采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C10NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：8.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：668206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2000，"15+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN20EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：545mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C10NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：8.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1250，"21+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN20EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：545mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C10NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：8.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：739500，"23+"：112500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C029NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.49W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：15A€46A
类型：N沟道
导通电阻：5.88mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.71W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11250，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
