采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4725，"17+"：109}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4725，"17+"：109}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
