销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
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库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
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连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
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连续漏极电流:83A
类型:N沟道
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漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
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类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
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类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
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类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6354
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@15V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: