采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S208ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@58A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5287pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5093pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
