采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
