采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：917pF@15V
连续漏极电流：21A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7694
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€27W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@15V
连续漏极电流：13.2A€20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7694
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€27W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@15V
连续漏极电流：13.2A€20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：917pF@15V
连续漏极电流：21A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7630
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1845，"13+"：185500，"14+"：4475，"15+"：7414，"16+"：10516}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7534
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€23W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1037pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@12V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1845，"13+"：185500，"14+"：4475，"15+"：7414，"16+"：10516}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：917pF@15V
连续漏极电流：21A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€36W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：917pF@15V
连续漏极电流：21A€64A
类型：N沟道
导通电阻：5.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@15V
连续漏极电流：12A€20A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
