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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
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功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
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栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：25A€100A
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导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：25A€100A
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导通电阻：2mΩ@30A，10V
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导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：124nC@10V
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连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
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栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
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功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：124nC@10V
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连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：37A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4300pF@15V
栅极电荷：68nC@10V
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：37A€100A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSIATMA1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4300pF@15V
栅极电荷：68nC@10V
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：37A€100A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
连续漏极电流：25A€100A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：2mΩ@30A，10V
输入电容：9600pF@15V
栅极电荷：124nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
