采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD85N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD150N3LLH6
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
功率：110W
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
输入电容：3700pF@25V
栅极电荷：29nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：70W
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD86N3LH5
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD96N3LLH6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
