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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25772}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0902NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0902NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC886N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC886N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC886N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4609，"19+"：3791，"MI+"：4825}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC886N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0902NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0902NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R903PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.1V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
