品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7664
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€45W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4865pF@15V
连续漏极电流:18.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7664
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€45W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4865pF@15V
连续漏极电流:18.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2488}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2488}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
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输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
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连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1730}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7664
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€45W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4865pF@15V
连续漏极电流:18.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5302TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8813NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4145pF@15V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7664
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€45W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4865pF@15V
连续漏极电流:18.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: