采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8311TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€96W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@10V
连续漏极电流：32A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
