采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R003PL，LQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：2.1V@300µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3825pF@15V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R003PL，LQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：2.1V@300µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3825pF@15V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7524
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
