采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4816，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC645N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E055BNTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
