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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 50A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1 起订459个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S207ATMA1 起订459个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA02DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD04N03LB G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD04N03LB G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD04N03LB G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@70µA

    栅极电荷:40nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R8-30MLC,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R8-30MLC,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R8-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR164DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:123nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3950pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1226个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订1226个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5550,"22+":2500,"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@85µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3545pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@85µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S2L06ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@85µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD050N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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