品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR6503PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR6503PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€210W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: