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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K513NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€17.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
