采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1195}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6209-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：570，"04+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6209-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：150A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：80W
栅极电荷：40nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：4040pF@25V
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：150A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：80W
栅极电荷：40nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：4040pF@25V
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
功率：80W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：570，"04+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
