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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1542
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1542
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7004 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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